2022年6月5日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工 作状态,光电流随负载变化很大；反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关(很大动 态范围内)。2.3.2 照度特性 当没有光照时,硅光电池等效于普通的二极管,其伏安特性为： Id = I0(2.1)
本文基于GGDC-B型硅光电池综合实验仪,研究硅光电池的基本特性。 通过实验得出随着光照度的增加,硅光电池的输出电压与电流逐渐增大。 在一定光照度范围内,随着负载阻值的逐渐增大,输出电流与光照度呈线性关系。
2018年7月6日 · 硅光电池的负载特性当硅光电池接上负载R时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。 它的伏安特性见图2。 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏
2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
2022年5月20日 · 硅光电池负载上 的电压降 U 和通过 的电流之积称为硅光电池的输出功率 P。 输出功率达到最高大值 时的负载电阻 称为最高佳负载电阻,此时能量转换效率最高高,且 随光强而变化。
2018年1月24日 · 硅光电池的工作原理是光生伏特别有效应。当光照射在硅光电池的PN结区时,会在半导体中激发出光生电子一空穴对。PN结两边的光生电子一空穴对,在内电场的作用下,属于多数载流子的不能穿越阻挡层,而少数载流子却能穿越阻挡层。
2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
2018年7月6日 · 硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最高大值。 实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能
2023年6月11日 · 硅光电池是根据光伏效应而制成的将光能转换成电能的一种器件,它的基本结构就是一个P N 结。 也可在N 型硅片上扩散硼形成P 型薄层,形成P/N 型电池。
硅光电池有很高的频率响应,可用于高速记数、有声电影等方面。 开路电压随温度升高而下降的速度较快。 短路电流随温度升高而缓慢增加。 因此作测量元件 时应考虑进行温补。 f2.2.1.