摘要 为了研究硅光电池的特性,应用新的电学实验手段,借助光伏效应实验仪,对硅光电池的光电特性、伏安特性、负载特性作了初步的分析和研究,得到了硅光电池的开路电压、短路电流、内阻与光照强度的关系,以及衡量光电池性能优劣的重要指标填...
2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大； 反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 (很大动态范围内)。
（1）如何确定硅光电池的内阻？其大小与哪些因素有关？ （2）实验时光源的相对强度发生了变化,对测量结果有何影响？ （3）什么是最高佳匹配电阻？对给定的硅光电池如何确定其最高佳匹配电阻？ 参考资料
硅光电池的内阻是指硅光电池本身内部的电阻。 它由多个部分组成,包括接触电阻、固有电阻等。 内阻对于光电池的输出性能和稳定性具有重要影响。
2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
摘要： 为了研究硅光电池的特性,应用新的电学实验手段,借助光伏效应实验仪,对硅光电池的光电特性、伏安特性、负载特性作了初步的分析和研究,得到了硅光电池的开路电压、短路电流、内阻与光照强度的关系,以及衡量光电池性能优劣的重要指标填充因子,且发现
2013年6月30日 · 用它制成的元器件称之为硅光电池。光伏效应最高重大的应用 是可以将阳光直接转换成电能,是当今世界众多国家努力研 究和开拓应用的课题*。 从光伏效应的机理可知（见附录）,硅光电池输出的 电流IL 是光生电流IP 和在
2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。
当光照射硅光电池时,将产生一个由 N 区流向 P 区的光生电流Iph,同时由于 PN 结二 极管的特性,存在正向二极管管电流ID 。 此电流方向从 P 区到 N 区,与光生电流相反,因