晶界绝缘的方法通常有两种,一是在这种基体上涂覆某种 金属氧化物 作为绝缘剂(如CuO、Bi 2 O 3、PbO等)并在空气中进行热处理,使这些杂质沿晶粒边界扩散而形成绝缘层,称为二次烧成法。另一种方法是将半导化剂和绝缘剂同时引人BaTiO 3 或StTiO 3 基料,在不同的温度和气氛下使晶粒半导化和晶粒
摘要： 随着电子元器件向微小型化发展,对钛酸锶(SrTiO3)晶界层陶瓷电容器(boundarylayerceramiccapacitors,BLCC)的电学性能提出了更高的要求,希望能在提高介电常数的同时保持低损耗值,且介电性能的温度和频率稳定性好.材料的电学性能与其显微结构和缺陷密切
2023年3月1日 · 中金企信统计数据显示：微波瓷介芯片电容器2021年全方位球市场规模约为39.72亿元,同比增长15.10%,预计到2025年将达到70.31亿元,2021-2025年的平均增长率约
2018年7月24日 · 单层片式晶界层电容器（SLBC）具有尺寸微小、电容量大、应用温域宽（﹣55℃～125℃）、电容变化率小（≤±4.7%～≤±22％）、频率特性好等优点,是一类适用于
2013年10月8日 · 本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和空气中一次烧结工艺方法,利用电容器陶瓷普通化学原料,制备得到无铅、无镉的高介晶界层陶瓷电容器介质,还能降低电容器陶瓷的烧结温度,该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。
2021年11月6日 · 分类号密级UDC论文编号硕士学位论文论文题目：SrTiO3晶界层电容器的制备及其绝缘性能研究研究生：张木森导师：杨昌平教授专业：电子科学与技术研究方向：介电陶
2012年7月30日 · 007年全方位国微波毫米波会议论文集116用于微波电路的单层片式晶界层电容器程超蔡杨杨俊峰冯毅龙赵海飞广州翔宇微电子有限公司广州51088摘要：研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微
2019年1月31日 · 用这种瓷制备的电容器称为晶界层陶瓷电容器（boundarg layer ceramic capacitor）,简称BL电容器。3、高压陶瓷电容器 随着电子工业的高速发展,迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可信赖性高的高压陶瓷电容器。
2022年2月27日 · 设计晶界：为超稳定超级电容器配置 NiCoP4O12/NiCoP 纳米线阵列的有前景的 Frontiers of Chemical Science and Engineering ( IF 4.5) Pub Date : 2022-02-27, DOI: 10.1007/s11705-021-2132-0
2021年11月6日 · SrTiO3陶瓷晶界层电容器材料的晶界研究：Ⅱ. 晶界模型与材料电性能 星级： 9 页 SrTiO3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究 星级： 76 页 一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及制备方法
晶界层电容器是以晶界为介质,而以充分半导电化的晶粒为电极的陶瓷电容器。由于晶界很薄,因此具有很高的显介电常数。70年代末进入批量生产的SrTiO3晶界层电容器,在工业水平介电常数>60 000,把常规瓷介质的相对介电常数提高数
二、国内市场发展存在的问题 第三章、2018-2020年中国圆形晶界层电容器瓷片市场供需调查分析 第一名节、2018-2020年圆形晶界层电容器瓷片市场需求分析 一、需求量及其增长分析 二、地域消费市场分析 三、圆形晶界层电容器瓷片产品需求领域及构成分析
晶界层陶瓷电容器是利用陶瓷的晶界效应来控制功能陶瓷结构和性能的陶瓷电容器。 是具有半导体性质的晶粒和高绝缘性晶界为显微结构特征的电容器陶瓷材料。
2022年12月19日 · 用这种瓷制备的电容器称为晶界层陶瓷电容器（boundarg layer ceramic capacitor）,简称BL电容器。 3、高压陶瓷电容器 随着电子工业的高速发展,迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可信赖性高的高压陶瓷电容器。
2011年5月30日 · 综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结
2016年2月29日 · 陶瓷电容器的制备工艺概述何晓勇张锐王海龙王西科(郑州大学材料工程学院,郑州450002)摘要简介了新型陶瓷电容器的优点、功能、类型和发展现状及表面层陶瓷电容器、表面层型陶瓷电容器和晶界型陶瓷电容器的产生机理和区别,和影响陶瓷电容器性能的诸多因素,如显微结构、掺杂元素和包覆改性等
2019年6月29日 · 本发明属于陶瓷制备技术领域,具体涉及一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及其制备方法。背景技术晶界层陶瓷材料是一种利用精确确的掺杂工艺与技术,通过还原气氛烧结使电介质陶瓷材料半导化,然后利用氧化剂有选择地氧化晶界,用晶界作为电容器介质的新型介质材料。SrTiO3晶界层材料具有介电常数
2018年8月13日 · 单层片式晶界层半导体陶瓷材料研究进展 摘 要 ：片式电子元件进入了全方位面发展的新时期,对元件微型化、轻型化、复合化、高频化和高性能化的要求越来越迫切,新型单层片式晶界层半导体陶瓷材料适时得到发展。 本文
随着电子元器件向微小型化发展,对钛酸锶（SrTiO3）晶界层陶瓷电容器（boundarylayerceramiccapacitors,BLCC）的电学性能提出了更高的要求,希望能在提高介电常数的同时保持低损耗值,且介电性能的温度和频率稳定性好。材料的电学性能与其显微结构和缺陷
2014年1月15日 · 本发明涉及无机非金属材料,特指一种低温度系数晶界层陶瓷电容器 介质及其制备方法,它采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法,利用电容器陶瓷普通化学原料,制备得到无铅、无镉的低温度系数晶界层陶瓷
2018年7月24日 · 组分、结构、工艺对晶界层电容器性能的影响 2.1 使半导体瓷片的晶粒具有尽可能低的电阻率,是确保 SrTiO3 晶界层电容器具有高介电系数和低介质损耗优良性能的重要条件之一。SrTiO3 的半导体化,是以施主掺杂加还原气氛（ N 2 +H 2 ）烧结的方式进行。
晶界（grain boundary）是结构相同而取向不同晶粒之间的界面。在晶界面上,原子排列从一个取向过渡到另一个取向,故晶界处原子排列处于过渡状态。 晶粒与晶粒之间的接触界面叫做晶界。无机非金属材料是由微细粉料烧结而成的。在烧结时,众多的的微细颗粒形成大量的结晶中心。