2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成．当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
2018年5月23日 · 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、 硫化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、
2013年6月30日 · 电池的伏安特性曲线相当于把p-n 结的伏安特性曲线向 下平移,它在横轴与纵轴的截距分别给出了 V OC 和 I SC 。 实验表明：在 V =0 情况下,当硅光电池外接负载电阻 R L,其输出电压和电流均随 R L 变
2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大； 反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 (很大动态范围内)。
2018年1月24日 · 硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器 和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 偏区工作时,只有当 RL 较小时,电流比较稳定,而当 RL 较大时,电流与电压呈非线性关系。 上的截距即为开路电压Voc。 硅光电池特性的研究实验报告-定照度下,光电池被短路（负载电
2018年7月6日 · 由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。
2022年6月12日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1）无偏压工作状态,光电流随负载变化很大。 2）反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关（很大的动态范围内）。
摘要 为了研究硅光电池的特性,应用新的电学实验手段,借助光伏效应实验仪,对硅光电池的光电特性、伏安特性、负载特性作了初步的分析和研究,得到了硅光电池的开路电压、短路电流、内阻与光照强度的关系,以及衡量光电池性能优劣的重要指标填...