2024年4月17日 · 制备了具有多种 Ag 含量的宽禁带、高 Ga (Ag,Cu)(In,Ga)Se 2 薄膜太阳能电池,并在暗存储、暗退火前后进行了表征。 85°C,轻度浸泡。 Ag 与 Cu 的 1:4 比例可显着增强初始器件性能,过量的 Ag 可增强载流子收集,但会降低接近化学计量器件的开路电压和填充
2024年10月7日 · 在太阳能电池领域,大禁带宽度的半导体材料能够选择性地吸收高能量的光子,减少能量损失,从而提高光电转换效率。 此外,在光纤通信系统中,大禁带宽度的材料是制造高性能光探测器的理想选择,它们能够高效地将光信号转换为电信号,为长距离、高速率
太阳能电池芯片通常由不同类型的半导体材料构成,而半导体材料的禁带宽度是影响太阳能电池性能的重要因素之一。 在太阳能电池中,光子能量会激发半导体中的电子,从而产生电流。
2024年10月9日 · 减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率：另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率。
2024年6月20日 · 首先,我们需要定义太阳能电池的关键参数,如材料的禁带宽度、光谱响应、串联电阻和并联电阻等。这些参数可以通过查阅相关文献或实验数据获取。例如,硅基太阳能电池的禁带宽度通常设定为1.1 eV。 接下来,我们可以...
2019年1月23日 · 1月15日,中国科学院深圳先进的技术技术研究院集成所光子信息与能源材料研究中心李伟民博士与其研究团队在宽禁带铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池研究领域取得新进展。
2016年6月7日 · 太阳能电池的能量转换效率定义为电池接外电 路时吸收的光功率转化为最高大输出电功率的百分比, 在标准测试环境下(室温25℃, 太阳能辐照度1000
2013年10月16日 · 太阳能电池能够 响应的最高大波长被半导体材料的禁带宽度限制,当禁带 宽度在1.0-1.6ev范围内,入射光的能量才有可能被最高大限度地利用。 产生光生电动势条件——光吸收
2019年7月30日 · 串联太阳能电池结合了宽带隙钙钛矿顶部电池和基于混合锡 (Sn)-铅 (Pb) 钙钛矿或不同材料如硅 (Si) 或铜铟镓硒 (CIGS) 的低带隙底部电池提供实现高于单结电池的肖克利-奎塞尔 (SQ) 辐射效率限制 (~33%) 的 PCE 的绝佳机会。
2024年9月6日 · 大电压损耗和光诱导卤化物偏选是阻碍宽带隙 （WBG） （E g ≥ 1.65 eV） 钙钛矿太阳能电池 （PSC） 发展的两个主要挑战。 在此,提出了一种阳离子工程方法,通过掺入甲胺 （MA） 作为第三阳离子来增强甲脒-铯 （FA-Cs） WBG 钙钛矿的光电性能。