2023年8月24日 · 光伏刻蚀是用来制造太阳能电池的过程之一,常见的光伏刻蚀设备有以下几种： 1. 酸性刻蚀设备：使用酸性溶液（如盐酸、硝酸等）进行刻蚀。
2017年11月22日 · 工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽 (KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片. 刻蚀槽HNO3和HF的混合液体会对扩散后硅片的下表面及边缘进行腐蚀,以去除边缘的N型硅,打破硅片表面短路通路。 因此刻蚀对于液位高度的控制需要特别精确确。 反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2+ 4NO2 + 8H2O. 去 PSG 磷硅玻璃的原理方程式：
2024年10月9日 · 刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。 湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽 (KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片. HNO3反应氧化生成SiO2,HF去除SiO2。 刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流
2017年11月22日 · 工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽 (KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片. 刻蚀槽HNO3和HF的混合液体会对扩散后硅片的下表面及边缘进行腐蚀,以去除边缘的N型硅,打破硅片表面短路通路。 因此刻蚀对于液位高度的控制需要特别精确确。 反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2+ 4NO2 + 8H2O. 去 PSG 磷硅玻璃的原理方程式：
2020年8月4日 · 光伏太阳能电池片的刻蚀流程如下：HF→DI水→高浓度KOH→低浓度KOH→DI水→HF→DI水→烘干。 首先对制作光伏太阳能电池片的基底进行预处理,预处理包括用氢氟酸溶液去除基底的背面的磷硅玻璃,磷硅玻璃层主要包括磷的氧化物和硅的氧化物,该磷硅玻璃层会妨碍碱性溶液与硅反应,而预处理步骤中的氢氟酸溶液能够很好地将这一磷硅玻璃层去除,确保用
2017年12月7日 · 1、丝网选择通用型蚀刻膏350-450网目,印刷速度控制在30cm/秒左右,刮刀速度要确保下墨量。 严格检查丝网,防止有漏网的缺陷,避免造成ITO导电膜保留面的损伤。 若蚀刻细线条,网板的目数可选择450目,若下墨量足够可蚀刻至0.03mm。 烘烤. 2、蚀刻速度随温度的提升而加快,FILM ITO导电膜 (结晶膜)的蚀刻温度建议在100-110℃条件下,20分钟均可完成
2021年1月15日 · 1.太阳能电池生产用蚀刻装置,包括支撑机构(1)、控制装置(6)、激光主机(3),其特征在于：所述支撑机构(1)内侧设置有固定机构(7),所述固定机构(7)外侧设置有传送装置(2),所述支撑机构(1)上方设置有遮护板(5),所述遮护板(5)后方设置有移动机构(4),所述
2017年12月21日 · 工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片 刻蚀槽HNO3和HF的混合液体会对扩散后硅片的下表面及边缘进行腐蚀,以去除边缘的N型硅,打破硅片表面短路通路。
因此,如何提供一种新的太阳能电池片刻蚀设备及制作方法,以在避免使用硝酸的情况下完成太阳能电池片刻蚀的工艺要求(边缘刻蚀/背抛光/去磷硅玻璃),杜绝含氮废水的产生,成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
反应方程式如下：SiO2+6HF=H2SiF6+2H2Oconfidentialconfidential 刻蚀制作方法：目前,晶体硅太阳电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法。 11、刻蚀的作用及方法、刻蚀的作用及方法1）干法刻蚀原理干法刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。