2017年12月21日 · 工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽 (KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片. 刻蚀槽HNO3和HF的混合液体会对扩散后硅片的下表面及边缘进行腐蚀,以去除边缘的N型硅,打破硅片表面短路通路。 因此刻蚀对于液位高度的控制需要特别精确确。 反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2+ 4NO2 + 8H2O. 去PSG磷硅玻璃的原理方程式：
2020年7月21日 · 腐蚀深度是表征片子刻通与否的一个重要参数,通过测量刻蚀前后片子减薄量,可以计算出腐蚀深度,根据具体测量情况可以改变工艺参数。 槽体温度 原则上温度控制在8度,一般上下浮动1-2度,调整梯度为0.5-1度,温度升高腐蚀深度增加,反之。
2017年11月22日 · 工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）→水洗→碱槽 (KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片. 刻蚀槽HNO3和HF的混合液体会对扩散后硅片的下表面及边缘进行腐蚀,以去除边缘的N型硅,打破硅片表面短路通路。 因此刻蚀对于液位高度的控制需要特别精确确。 反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2+ 4NO2 + 8H2O. 去 PSG 磷硅玻璃的原理方程式：
2024年7月29日 · 激光边缘刻蚀隔离,也叫 激光划线。使用 激光 在太阳能电池 正面靠近边缘 进行烧蚀,形成具有 一定深度 的 封闭沟槽,从而有效地 切断 通向边缘的 电流路径,实现太阳能电池的正面电极与背面的PN结隔离绝缘。
现阶段太阳能电池湿法刻蚀工艺在太阳能生产中得到了广泛的应用,主要的原理是借助腐蚀液来完成刻蚀工作,其中由于存在滚轮以及液体张力,硅片会漂浮在刻蚀液液面上,之后和附近的物质产生刻蚀反应,如此可以实现一个良好的抛光效果以及刻蚀效果.湿法刻蚀可以
2020年7月21日 · 11月27日,国家发改委环资司发布关于《拟纳入绿色技术推广目录（2024年版）的技术清单》的公示,光伏建筑一体化用大面积碲化镉发电玻璃、新型光伏建筑一体化技术、光储直柔园区/社区微电网技术、分布式光伏接入配电网关键支撑技术及应用等列入清单。
太阳能电池湿法刻蚀工艺属于常见的化学清洗措施,本文分析了太阳能电池湿法刻蚀工艺,之后介绍了相关的改善措施,可以看出,光伏太阳能电池片和相关的刻蚀方法,可以显著减小整体的污水处理难度。
2020年8月4日 · 太阳能电池湿刻蚀工艺是一种常用的化学清洗方法。文章简单介绍了湿法刻蚀工艺,然后公开了一种光伏太阳能电池片及其刻蚀方法,详细地分析了太阳能电池湿法刻蚀工艺。根据本发明的光伏太阳能电池片及其刻蚀方法,可有效降低后续的污水处理难度。
2017年11月22日 · 印度新能源与可再生能源部（MNRE）宣布,将于2026年6月1日开始执行太阳能光伏电池的《批准型号和制造商名单》（ALMM）List-II,确保列入ALMMList-I的光伏组件必须使用来自ALMMList-II的电池。
2020年5月18日 · 11月27日,国家发改委环资司发布关于《拟纳入绿色技术推广目录（2024年版）的技术清单》的公示,光伏建筑一体化用大面积碲化镉发电玻璃、新型光伏建筑一体化技术、光储直柔园区/社区微电网技术、分布式光伏接入配电网关键支撑技术及应用等列入清单。